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具有高靜電消除性能的離子棒介紹

發(fā)布時(shí)間:2024-04-04 點(diǎn)擊量:443

具有高靜電消除性能的離子棒介紹

離子棒(內(nèi)置控制器SIB4系列)

設(shè)備概覽


這是一款內(nèi)置控制器的離子棒,具有高靜電消除性能,并采用了提高離子生成效率的技術(shù)。
放電針座采用防止外部顆粒附著的結(jié)構(gòu),
維護(hù)極其方便。

作品

SIB4-800~SIB4-3200(陣容強(qiáng)大,共17種型號)

離子棒(內(nèi)置控制器SIB4系列)

特征

  • 高靜電消除性能
    采用新開發(fā)的放電針座,提高電暈放電率,最大限度地減少離子生成過程中的損失,實(shí)現(xiàn)高靜電消除性能。

  • 節(jié)省維護(hù)
    新開發(fā)的放電針插座是一觸式可拆卸插座,可減少放電針上的顆粒粘附,從而輕松更換放電針。放電針清潔周期由放電針清潔定時(shí)器功能通知。(提示清潔警報(bào))

  • 易于安裝
    離子棒之間可以交叉接線,使接線工作更加容易。(最多 4 件)

  • 電壓調(diào)節(jié)功能
    可以分10級調(diào)節(jié)施加在放電針上的電壓,讓您可以根據(jù)使用環(huán)境進(jìn)行最佳設(shè)置。

  • 使用遙控器進(jìn)行遠(yuǎn)程控制
    您可以使用高度便攜的卡片式遙控器來設(shè)置離子發(fā)生器的頻率和離子平衡。

  • 實(shí)時(shí)監(jiān)控系統(tǒng) (RMS) SIB4 可選的
    RS485 通信允許遠(yuǎn)程監(jiān)控離子棒的運(yùn)行狀態(tài)。

改進(jìn)的靜電消除性能

通過采用反電極,可以更有效地提高施加到放電針的電壓,提高離子發(fā)生率,并減少來自外部的顆粒的附著。

離子棒(帶內(nèi)置控制器的SIB4系列) 靜電消除性能

放電針清洗定時(shí)器功能

放電針的清潔周期可以使用內(nèi)置定時(shí)器根據(jù)需要進(jìn)行設(shè)置。

±峰值電壓調(diào)節(jié)功能 

施加到放電針上的電壓可以在 8.0kVpp 至 12.5kVpp 之間以 0.5kV 為步長進(jìn)行調(diào)節(jié)。

輕松更換放電針

SIB4采用一觸式插座式放電針,易于清潔和快速更換。

遙控器為卡片式,便攜性強(qiáng)。

您可以使用遙控器設(shè)置離子棒的頻率和離子平衡。

可以使用RMS(實(shí)時(shí)監(jiān)控系統(tǒng)) (可選)監(jiān)控離子棒

 該系統(tǒng)允許您使用 RS485 通信和以太網(wǎng)遠(yuǎn)程監(jiān)控離子棒的運(yùn)行狀態(tài)。
離子棒(內(nèi)置控制器型SIB4系列)維護(hù)
插座更換

按型號劃分的尺寸



型號(中間支架數(shù)量、放電針數(shù)量)

 規(guī)格
 模型SIB4-800~SIB4-3200 
 輸入功率DC24V(±5%)  
 能量消耗最大14.4W  
 離子發(fā)生方式電暈放電(脈沖交流方式)
 供氣壓力0.1~0.5Mpa CDA(清潔干燥空氣)或N 2
 空氣連接口1/8" 一觸式接頭
 離子平衡±30V以下
 臭氧發(fā)生≤0.05ppm以下
 放電針材質(zhì)鎢/硅(可選)
 更換放電針插座更換
 使用環(huán)境0~50℃,35%~85%RH(無凝露) 
 功能設(shè)置主機(jī)/遙控器  
功能頻率(赫茲)0.1、0.3、1、3、5、8、10、20、30、35、40、45、50
脈沖比40-70%(+側(cè))
輸出電壓電平正1~10,負(fù)1~10
 報(bào)警功能高壓異常、放電針清洗
 界面RS485(用于RMS),遠(yuǎn)程,運(yùn)行狀態(tài)
 除靜電距離50~2,000mm
 選項(xiàng)RMS(實(shí)時(shí)監(jiān)控系統(tǒng))、SBP-RD(直流電源裝置)
 保修期購買后1年
 配件中間支架、電源線、通訊線