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石墨烯及其衍生物電子傳導(dǎo)能力檢測技術(shù)
石墨烯及其衍生物具有良好的電子傳導(dǎo)能力、*的材料結(jié)構(gòu),以及優(yōu)異的光電和機(jī)械性能,因此被廣泛應(yīng)用于鈣鈦礦太陽電池中,以提高電池的光電轉(zhuǎn)換效率和性能穩(wěn)定性。綜述了石墨烯及其衍生物作為電極材料、電子傳輸層和空穴傳輸層時(shí)在鈣鈦礦太陽電池中的研究進(jìn)展,并指出了其在未來的發(fā)展重點(diǎn)。
日本napson便攜式電阻檢測儀EC-80P
只需觸摸手持式探頭即可測量電阻。
在電阻/薄層電阻測量模式之間輕松切換
使用JOG撥盤輕松設(shè)置測量條件
連接到連接器的可替換電阻測量探頭可支持多種電阻
(電阻探頭:多可以使用2 + PN判斷探頭)
測量目標(biāo)
半導(dǎo)體/太陽能電池材料相關(guān)(硅,多晶硅,SiC等)
新材料/功能材料相關(guān)(碳納米管,DLC,石墨烯,銀納米線等)
導(dǎo)電薄膜相關(guān)(金屬,ITO等)
硅基外延,離子與半導(dǎo)體相關(guān)的注入樣品化合物(GaAs Epi,GaN Epi,InP,Ga等)
其他(*請與我們聯(lián)系)
測量尺寸
無論樣品大小和形狀如何均可進(jìn)行測量(但是,大于20mmφ且表面平坦)
測量范圍
[電阻] 1m至200Ω? cm
(*所有探頭類型的總量程/厚度500um)
[抗剪強(qiáng)度] 10m至3kΩ / sq
(*所有探頭類型的總量程)
*有關(guān)每種探頭類型的測量范圍,請參閱以下內(nèi)容。
(1)低:0.01至0.5Ω/□(0.001至0.05Ω-cm)
(2)中:0.5至10Ω/□(0.05至0.5Ω-cm)
(3 ))高:10至1000Ω/□(0.5至60Ω-cm)
(4)S-高:1000至3000Ω/□(60至200Ω-cm)
(5)太陽能晶片:5至500Ω/□(0。 2至15Ω-cm)