非接觸式半導體晶片厚度測量裝置及方法

種非接觸式晶片厚度測量裝置及方法,其特征是：超凈的晶片裝置于一個相對封閉的凈化空間內,使用傅里葉變換紅外光譜儀利用非接觸方法測量出該晶片兩邊至腔體內壁之間空氣層的厚度,使用千分尺測量得到腔體兩個內壁間距,這樣就可以得到晶片的精確厚度。該裝置和方法的優(yōu)點是：整個過程中清洗干凈的晶片一直放置于相對封閉的超凈空間內,測試過程非接觸,從而不會導致晶片被污染和氧化,晶片表面也不會因為接觸硬物而導致劃傷,保證晶片的干凈與表面無瑕疵,避免了液相外延生長過程中晶片厚度不精確所引起的粘液和劃傷,提高了外延片的成品率。

半導體用圓晶非接觸式測厚儀OZUMA22 

<使用>

半導體用晶圓（各種材料） 硅Si.GaAs 砷化鎵等，玻璃、金屬、化合物等的高精度非接觸式測厚（非接觸式測厚）

<特點>

1. 1. 通過空氣背壓法可以進行非接觸式測厚（非接觸式測厚），不會造成劃痕和污染等損壞
。不依賴于薄膜和顏色光澤等材料，可以輕松進行高精度的非接觸式厚度測量（非接觸式厚度測量）
。在潮濕時可以進行高精度的非接觸式厚度測量（非接觸式厚度測量）
。即使是鏡面透明或半透明，也可以毫無問題地進行高精度的非接觸式厚度測量（非接觸式厚度測量）
。由于采用上下測量噴嘴進行測量，因此
　 　可以準確測量“厚度”，而不受被測物體“滑行”引起的抬升的影響。
　?。?ldquo;雪橇”測量也可以作為選項（* 1））
6. 由于操作簡單，因此可以非常輕松地進行測量和校準（* 2）。

<測量原理>

精確控制上、下測量噴嘴的背壓，噴嘴定位使噴嘴與被測物體之間的間隙恒定，并與預先用基準規(guī)校準的值進行比較計算處理對被測物體進行測量操作，可精確計算厚度。

<性能>

　　分辨率 0.1 μm
　　重復精度 10 次重復 連續(xù)測量時的標準偏差 (1σ) 0.3 μm 或更小
　　測量范圍 max. 10mm (* 3)
　　供能電源 AC100V 50 / 60Hz 3A
　　　　　　　　　　　 潔凈空氣 0.4MPa 20NL/min. (*4)

<基本配置>
標準的非接觸式測厚儀（非接觸式測厚儀）是一組以下設備。
(1) 非接觸式測厚儀（非接觸式測厚儀）主體 ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 1 套
②測量臺（安裝臺） ? ? ? ? 從附“表型”選擇 ?
? ? ? ? ? ? ?? 1 套③ 控制盒（分體型） ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 1 套
④ 手動操作開關盒 ? ? ? ? ? ? ?· · · · · · 1套

⑤ 顯示器（7"彩色液晶觸摸屏）或用于測量控制的個人電腦??????????1套
⑥連接電纜?????????????????? ? ? ? 1 套
⑦ 校準規(guī)（指ding厚度） ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 1 個
⑧ 測量控制的標準軟件 ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?? ? ? ? ? ? ? ? ? ?
除上述以外，還可以根據用途從“選項一覽”中選擇選項?！?/font>